ARM将于2014年推下一代移动芯片 速度增至3GHz

2025-07-01 18:50:04    

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成果简介瑞典哥德堡大学孔祥瑞、推下JanB.C.Pettersson、推下卡塔尔哈马德·本·哈利法大学IvanGladich课题组合作,利用X射线光电子能谱(XPS),发现了盐溶化过程中表面促进的氧化还原反应。有报道说NH3(aq)比NH4+离子具有更高的表面倾向,芯片本研究通过深度剖析和MD模拟结果证实了这一点(图2D)。

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速度元素和核素之间的比例深度剖面如图4所示。增至对这种表面特有行为的解释可以归因于表面独特的物理化学特性。MD模拟(图2B)表明,于2代移动硫酸铵晶体顶部的水分子单层足以将晶体中的SO42-和NH4+离子溶入吸附液状层。

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在RH=78%时,推下发生完全液化,在液化瞬间,SO42-完全转化为S0(图1E)。芯片本工作提出了详细的机制来描述盐溶剂化过程中导致意外产物产生的过程

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